내용요약 중장기 기술 로드맵 논의 및 자이스 최신 반도체 살펴
파운드리·메모리 강화 위해 EUV 기술 협력 확대
자이스, 한국에 R&D센터 구축…전략적 협력 강화 전망
26일(현지 시간) 독일 오버코헨 ZEISS 본사를 방문한 이재용 삼성전자 회장이 칼 람프레히트 (Karl Lamprecht) ZEISS그룹 CEO와 악수를 하고 있다. / 삼성전자
26일(현지 시간) 독일 오버코헨 ZEISS 본사를 방문한 이재용 삼성전자 회장이 칼 람프레히트 (Karl Lamprecht) ZEISS그룹 CEO와 악수를 하고 있다. / 삼성전자

[한스경제=조나리 기자] 삼성전자 이재용 회장이 26일(현지 시간) 독일 오버코헨에 위치한 자이스(ZEISS) 본사를 방문해 칼 람프레히트(Karl Lamprecht) CEO를 만나 양사 협력 방안을 논의했다.

자이스 본사 방문에는 송재혁 삼성전자 DS부문 CTO, 남석우 삼성전자 DS부문 제조&기술담당 사장 등 반도체 생산기술 경영진이 동행했다.

자이스는 첨단 반도체 생산에 필수적인 EUV(extreme ultraviolet) 기술 핵심 특허를 2000개 이상 보유한 글로벌 광학 기업이다. 현재 ASML의 EUV 장비에 탑재되는 광학 시스템을 독점 공급하고 있다.

이 회장은 자이스 경영진과 반도체 기술 트렌드 및 양사의 중장기 기술 로드맵에 대해 논의했다. 또한 자이스 공장을 방문해 최신 반도체 부품과 장비의 생산 모습을 살펴봤다.

26일(현지 시간) 독일 오버코헨 ZEISS 본사를 방문한 이재용 삼성전자 회장이 ZEISS 장비를 살펴보고 있다.
26일(현지 시간) 독일 오버코헨 ZEISS 본사를 방문한 이재용 삼성전자 회장이 ZEISS 장비를 살펴보고 있다.
26일(현지 시간) 독일 오버코헨 ZEISS 본사를 방문한 이재용 삼성전자 회장이 칼 람프레히트(Karl Lamprecht)  ZEISS그룹 CEO(맨 오른쪽), 안드레아스 페허(Andreas Pecher) ZEISS SMT(Semiconductor Manufacturing  Technology) CEO(오른쪽에서 두번째)와 대화하고 있다. / 삼성전자
26일(현지 시간) 독일 오버코헨 ZEISS 본사를 방문한 이재용 삼성전자 회장이 칼 람프레히트(Karl Lamprecht)  ZEISS그룹 CEO(맨 오른쪽), 안드레아스 페허(Andreas Pecher) ZEISS SMT(Semiconductor Manufacturing  Technology) CEO(오른쪽에서 두번째)와 대화하고 있다. / 삼성전자

삼성전자와 자이스는 향후 EUV 기술 및 첨단 반도체 장비 분야에서의 협력을 확대하기로 했다. 삼성전자는 EUV 기술력을 바탕으로 파운드리 시장에서 3나노 이하 초미세공정 시장을 주도하고, 연내 6세대 10나노급 D램을 양산할 계획이다.

삼성전자는 이를 통해 차세대 반도체의 △성능 개선 △생산 공정 최적화 △수율 향상을 달성한다는 목표다.

자이스는 2026년까지 480억원을 투자해 한국에 R&D 센터를 구축할 방침이다. 자이스가 한국 R&D 거점을 마련함에 따라 양사의 협력이 한층 강화될 전망이다.

이 회장은 AI 반도체 시장을 선점하기 위해 총력을 다하고 있다. 지난해 5월 젠슨황 엔디비아 CEO와의 만남 후 12월엔 피터 베닝크 ASML CEO, 올해 2월엔 마크 저커버스 메타 CEO를 연이어 만나 협력을 논의해왔다.

삼성전자는 메모리반도체에 이어 시스템반도체 분야에서도 사업경쟁력을 확보하기 위해 투자를 지속하고 있다.

2023년 역대 최대 파운드리 수주 잔고를 달성한 삼성전자는 △3나노 이하 초미세공정 기술 우위 지속 △고객사 다변화 △선제적 R&D 투자 △과감한 국내외 시설 투자 △반도체 생태계 육성을 통해 파운드리 사업을 미래 성장동력으로 키워나가고 있다.

삼성은 NPU(Neural Processing Unit, 인간의 뇌를 모방한 신경망처리장치) 사업도 본격적으로 육성하며 시스템반도체 사업 영역을 확장할 방침이다.

조나리 기자

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