| 한스경제=고예인 기자 | 삼성전자와 SK하이닉스가 올해 하반기 R&D 투자와 인재 확보에 역대급 사활을 걸며 반도체 패권 경쟁에 박차를 가하고 있다.

올해 상반기에만 R&D와 설비투자에 역대 최대 규모 자금을 쏟아붓고 있으며, 국내외 해외 인재 영입을 위해 파격적 인사제도 혁신도 단행하고 있다. 반도체 산업에서 기술력과 인재 확보는 곧 시장 점유율 및 수익으로 직결되기 때문이다.

◆삼성전자, R&D 투자액 ‘역대 최대’

삼성전자는 올해 하반기 파격적 투자를 통해 기술 초격차에 도전한다. 하반기 R&D 투자액만18조641억원에 달해 전년 동기 대비 13.8% 늘었다. 역대 최대 규모다. 삼성전자의 연구개발은 반도체 분야에 주력된다. 특히 초미세 공정, 3D 적층, 패키징 등 메모리 기술 고도화에 집중하며 AI 반도체 및 시스템 반도체, 모바일, 디스플레이, 6G 통신, 바이오 등 차세대 산업에도 과감한 투자가 이어진다. 올해 갤럭시 S25 AI폰, 네오 QLED 8K TV, 24Gb GDDR7 D램 등 혁신 제품을 선보이는 데 성공하는 등 기술 성과도 가시화되고 있다.

인재 확보에도 총력을 기울이고 있다. 삼성전자는 우수 인재를 확보하고 청년들에게 양질의 취업 기회를 제공하기 위해 하반기 공채에 돌입했다. 삼성전자 반도체사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS) 부문은 지난 7월 국내 7개 대학에서 ‘테크&커리어(T&C) 포럼’을 개최해 우수인재를 빠르게 영입하겠다는 의지를 내비치기도 했다. 반도체 관련 경력직원 채용도 진행했다. 최근 삼성전자 DS부문은 △메모리사업부 △파운드리사업부 △반도체연구소 최고재무책임자(CTO) △ 글로벌 제조&인프라총괄 △TSP총괄 △AI센터 등을 모집했다.

◆SK하이닉스, AI용 반도체와 첨단 메모리 제품 개발에 총력

SK하이닉스는 지난해 약 4조9544억원의 R&D 투자를 집행하며 역대 최대 규모를 기록했다. 이 금액은 전년 대비 18.2% 증가한 수치로 전체 매출액 대비 7.5% 수준이다. 주요 R&D 투자 분야는 AI용 반도체와 첨단 메모리 제품 개발이다. 이러한 투자를 통해 SK하이닉스는 세계 최초로 양산한 HBM3E와 1Tb(테라비트) 4D 낸드, 최신 세대 LPDDR5X D램 등에서 괄목할 만한 성과를 냈다. SK하이닉스는 AI 메모리 반도체(HBM)를 중심으로 투자하고 있으며 D램, 낸드플래시 등 차세대 메모리 제품 개발에도 연구를 집중하고 있다.

SK하이닉스는 국내외 석·박사급 인재를 확보하기 위해 매년 ‘테크 데이(Tech Day)’ 등 대규모 채용 행사를 개최한다. 2025년에는 전국 7개 대학(한양대, 서울대, 연세대, 고려대, 서강대, 포항공대, KAIST)을 순회하며 채용 및 기술 교류 행사를 확대했다. 더불어 미국 캘리포니아 등에서 '글로벌 포럼'을 열어 현지 우수 인재를 대상으로 회사 성장 전략과 최신 기술 동향을 소개하며, AI·반도체 전문 인재 유치에 총력을 기울이고 있다.

해외 인재 영입도 빨라지고 있다. 삼성전자 미주법인은 마가렛 한 전 NXP글로벌 구매부문 부사장을 파운드리 총괄 부사장으로 임명했으며 TSMC·인텔 등 글로벌 반도체 강자 출신 전문가를 적극 영입하고 있다. SK하이닉스 역시 미국 연구소, 현지 핵심 엔지니어와의 네트워크를 대대적으로 확대하고 있다.

신기술 개발과 인재 유치가 곧 미래 반도체 경쟁력이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 대규모 R&D 투자와 인재 영입에 사활을 걸고 AI 시대를 선도할 차세대 반도체 제품 상용화, 글로벌 생산망 구축에 총력전을 펼치고 있다.

업계 관계자는 “차별화된 기술로 경쟁력을 확보하려면 R&D 확대는 필수”라며 두 기업 모두 HBM4, 6세대 D램, 첨단 시스템 반도체 기술 등 미래 시장 선도를 위한 연구개발 속도를 끌어올리고 있다“고 말했다.

고예인 기자 yi4111@sporbiz.co.kr